【摘 要】
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人们做了许多关于将绝缘的L—B膜应用到金属/绝缘体/半导体(MIS)结构中去的研究工作。Batey等人研究了MIS发光二极管(LED)的特性并提出了电致发光是由于通过L—B膜的空穴隧
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人们做了许多关于将绝缘的L—B膜应用到金属/绝缘体/半导体(MIS)结构中去的研究工作。Batey等人研究了MIS发光二极管(LED)的特性并提出了电致发光是由于通过L—B膜的空穴隧穿注入而产生的。然而,电致发光强度与LB膜膜厚的依赖关系并不显示隧穿理论所预言的那种呈指数递减关系,事实上,在这类结构中电子转移的机理目前尚未搞清楚。本文的目的是阐明在MIS发光二极管中电子转移和电致发光的机理。
Much research has been done on applying insulated L-B films to metal / insulator / semiconductor (MIS) structures. Batey et al. Studied the properties of MIS light-emitting diodes (LEDs) and proposed that electroluminescence is due to hole-tunneling injection through an L-B film. However, the dependence of the electroluminescence intensity on the LB film thickness does not show an exponential decay relationship predicted by the tunneling theory. In fact, the mechanism of electron transfer in such structures has not been elucidated yet. The purpose of this paper is to elucidate the mechanism of electron transfer and electroluminescence in MIS light-emitting diodes.
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