铜与硅之间W/Mo-N薄膜的扩散阻挡层性能

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fxqq
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究了铜与硅之间W/Mo-N薄膜的扩散阻挡性能.在Si(100)基片上利用反应溅射沉积一层Mo-N薄膜,然后再利用直流溅射在Mo-N上面沉积Cu/W薄膜.样品在真空下退火,并利用四点探针、X射线衍射分析、扫描电镜分析、俄歇电子能谱原子深度剖析等测试方法研究了Cu/W/Mo-N/Si的热稳定性及W/Mo-N薄膜对铜与硅的扩散阻挡性能.实验分析表明,Cu/W/Mo-N/Si结构具有非常好的热稳定性,在600℃退火30min仍未发生相变,并能有效的阻挡铜与硅之间的扩散.
其他文献
本文研究了有机铁电薄膜的极化疲劳过程.研究发现,随着疲劳过程的深入,薄膜铁电峰的峰位逐渐向高电压方向偏移,而薄膜的极化-电压滞洄线也逐渐变得圆滑,且剩余极化值随之下降
等离子体处理是微电子技术加工中一种成熟的工艺方法,引入射频辉光放电产生的低温等离子体对三乙醇胺涂膜QCM(QuartzCrystalMicro-balance)传感器进行表面处理,使传感器的各项性