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讨论了沟道宽（W）和长（L）对薄膜晶体管的开态电流（Ion），关态电流（Ioff）、开口率以及跳变电压（△Vp）的影响。
像素设计中沟道宽和长的选择
【摘 要】
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讨论了沟道宽（W）和长（L）对薄膜晶体管的开态电流（Ion），关态电流（Ioff）、开口率以及跳变电压（△Vp）的影响。
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院研究生院,吉林北方彩晶数码电子有限公司
【出 处】
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现代显示
【发表日期】
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2007年5期
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