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将磁控溅射和热丝化学气相沉积相结合，制备出超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜。通过光发射谱（OES）分析了热丝加热前后直流溅射辉光特性，结果表明热丝加热与否对直流溅射过程的影响不大。俄歇电子能谱显示钛在薄膜中是均匀分布的，改变磁控溅射的功率可控制薄膜中钛的含量，薄膜在可见和红外光的吸收随钛浓度的增加而显著增强。掺钛非晶硅薄膜仍表现出半导体特性，电阻事随着温度的降低而提高，满足变程跳跃电导输运机制。采用激光熔融（PLM）对薄膜进行退火，薄膜晶化率达50％以上。晶化的掺钛硅薄膜仍保持较高的可见一红外波段的光吸收。