【摘 要】
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β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认为是一种潜在的光电子材料，为实现光
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β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认为是一种潜在的光电子材料，为实现光电子器件与ＶＬＳ...
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