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利用GCValley的准连续光（Quasi—cw）近似模型，研究了短脉冲激光（纳秒ns量级）在光伏光折变材料LiNbO。晶体中写入和擦除光折变光栅的过程，给出了空间电荷场随时间变化的表达式．理论研究表明，空间电荷场的形成和擦除与两个时间参量有关，在考虑或者不考虑光生伏打效应两种情况下，这两个参量随擦除光强的变化有基本相同的变化规律，光栅的写入和擦除有相同的结果．同样，擦除一个光栅所需的光能量在两种情况下也有相同的结果．因此，在短脉冲光入射光折变晶体材料情况下，考虑光生伏打效应与不考虑光伏效应，对短脉冲光在