掺杂对硅薄膜窗口材料生长的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zy197855
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研究了掺杂剂对p型微晶硅窗口材料生长的影响.实验发现,与B(CH3)3不同,B2H6作为微晶硅掺杂剂时,掺硼量对材料的晶化率和生长速率有重要影响.在线等离子体发射光谱分析表明:B2H6的掺入会使辉光光谱中SiH^+等各种离子密度增强,而B(CH3)3作掺杂剂时,随B(CH3)3量的增加,SiH^*峰值增加较少,而H2^*和H^*的峰值会有较大幅度的提升。
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