【摘 要】
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利用设计在芯片上的晶体管电容测试电路比较方便和直接地测量了小至10~(-15)～10~(-16)F 的短沟道MOSFET 的棚—源、栅—漏电容。测量结果不受寄生电容的影响。文中给出了测量
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所
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利用设计在芯片上的晶体管电容测试电路比较方便和直接地测量了小至10~(-15)～10~(-16)F 的短沟道MOSFET 的棚—源、栅—漏电容。测量结果不受寄生电容的影响。文中给出了测量电路,说明了测试原理与方法以及电路设计和测量中需考虑的主要问题,并对电容测量结果的“短沟道”效应作了初步分析.
The gate-source and gate-drain capacitances of short-channel MOSFETs as small as 10 ~ (-15) ~ 10 ~ (-16) F can be easily and directly measured by using the on-chip transistor capacitor test circuit. Measurement results are not affected by parasitic capacitance. The measurement circuit is given in this paper. The principle and method of the test, the main problems to be considered in the circuit design and measurement are described. The “short-channel” effect of the capacitance measurement results is also analyzed.
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