150mW大功率半导体激光器

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jiaoqianqian
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据日本《电子材料》1992年第3期报道,日本三洋电机公司已制成高可靠150mW级的半导体激光器。该产品采用①大输出功率横模控制技术。②高可靠技术等的新技术。具有以下特点: (1)采用SHG器件的蓝邑激光器的振荡波长为860nm.采用YAG单晶和SHG器件制成绿色激光器,最佳振荡波长为809nm,已得到光输出功率为150mW。应用于各种光盘、成像系统的830nm激光器,也实现了光输出功率150mW。 According to Japan’s “Electronic Materials” reported in 1992 No. 3, Japan’s Sanyo Electric Company has made highly reliable 150mW class semiconductor lasers. The product uses ① large output power transverse mode control technology. ② high reliability technology and other new technologies. It has the following characteristics: (1) The LanYi laser with SHG device has an oscillation wavelength of 860 nm, a green laser made of YAG single crystal and SHG device, the optimum oscillation wavelength is 809 nm, and the optical output power is 150 mW. Applied to a variety of optical discs, imaging systems, 830nm laser, but also achieved a light output power of 150mW.
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