【摘 要】
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SiC市场领导者Cree近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,
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SiC市场领导者Cree近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基MOSFET技术,扩大了终端系统的功率范围,在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on),大大减小了热管理系统的尺寸,很好地解决了散
Cree, a market leader in SiC, recently introduced the first 900V MOSFET platform to break the industry’s SiC power device technology. The upgraded platform, based on Cree’s SiC planar technology, extends the product portfolio to address market-updated design challenges for higher DC-link voltages. And lead 900V super-junction Si-based MOSFET technology, expanding the power range of the end system, at higher temperatures can still provide low on-resistance Rds (on), greatly reducing the size of the thermal management system, a good solution Dispersed
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