1.3GHz 0.25μm CMOS低噪声放大器的设计

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户:macg27
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设计了一种基于0.25μm CMOS工艺的共源共栅型1.3GHz的LNA。从噪声优化、增益及阻抗匹配角度详细分析了电路的设计方法,讨论了寄生电容Cgd、C_match_in及共栅管沟道宽度W2对LNA性能的影响。采用ADS软件,对W2进行扫描和对LNAS参量和噪声系数进行仿真测试结果表明:该LNA在1.3GHz的工作频率下.具有良好的性能指标,噪声系数fN为1.42dB,增益S21为13.687dB.匹配参数S11为-14.769dB,S22为-14.530dB,反向隔离度S12为-52.955dB。
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