【摘 要】
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希腊雅典国家科研中心与德国哈雷Max Planck学院的研究人员开发出一种类似于单片技术的工艺流程,用以将Ⅲ—Ⅴ族光电子器件与商业化CMOS ICs相集成。这项技术是基于一种低温
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希腊雅典国家科研中心与德国哈雷Max Planck学院的研究人员开发出一种类似于单片技术的工艺流程,用以将Ⅲ—Ⅴ族光电子器件与商业化CMOS ICs相集成。这项技术是基于一种低温晶片键合方法,将整块GaAs外延片整体接到已完全处理好的CMOS晶片上。上述CMOS晶片的顶层表面覆盖SiO_2,SiO_2是在低于450℃的温度下淀积的,SiO_2
Researchers at the National Research Center in Athens, Greece, and Max Planck Institute in Harley, Germany, have developed a monolithic-like process for the integration of Group III-V optoelectronic devices with commercial CMOS ICs. The technology is based on a low-temperature wafer bonding method, the entire block of GaAs epitaxial wafer has been fully received on the CMOS chip. The top surface of the CMOS wafer is covered with SiO 2, SiO 2 is deposited at a temperature below 450 ° C. SiO 2
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