分布反馈式半导体激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件的理论分析

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本文通过计算比较了分别采用普通折射率耦合型(IC)、λ/4相移折射率耦合型(QWS)及增益耦合型(GC)DFB激光器作为光源部分的激光器/调制器光子集成器件的单模选择能力、调制频移及单端光输出功率等特性,在该类型集成器件的特性分析中考虑了端面反射率任意相位的影响并对此进行了统计分析.GC型器件的调制频移特性与IC及QWS型器件基本相同,而GC型器件的单模选择能力比IC和QWS型器件高得多,特别在HR-AR镀膜情况下,单端光输出效率大为提高,且考虑到GC型器件无需在光栅制作中引入相移带来的制作工艺上的简化,增益合型DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件是极有前途的光通信用理想光源. In this paper, we compare the performance of a laser / modulator photon integrated device using common refractive index coupling type (IC), λ / 4 phase shift refractive index coupling type (QWS) and gain coupling type (GC) DFB lasers as the light source Mode selection ability, modulation frequency shift and single-ended optical output power and so on. The influence of arbitrary phase of the reflectance in the end face was taken into consideration in the characteristic analysis of this type of integrated device and the statistical analysis was carried out. The modulation-frequency shift characteristics of the GC-type devices are basically the same as those of the IC and QWS-type devices. However, the single-mode selection capability of the GC-type devices is much higher than those of the IC and QWS-type devices. Greatly improved, and taking into account the GC-type devices do not need to introduce the phase shift in the grating production process to bring the simplified, gain-type DFB laser / electroabsorption modulator monolithic photonic integrated device is a very promising optical communications With ideal light source.
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