【摘 要】
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肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N+外延层(砷材料)。N型硅基片、N+阴极
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肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N+外延层(砷材料)。N型硅基片、N+阴极层
Schottky diodes are structurally very different from PN junction diodes in that they are internally made of anodized metal (a barrier layer made of a material such as molybdenum or aluminum), silicon dioxide (SiO2) field depletion material, N + epitaxy Layer (arsenic material). N-type silicon substrate, N + cathode layer
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