【摘 要】
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在半绝缘GaAs基底上用一种特殊的平面结构制造出了100GHz的肖特基光电二极管。并用电—光取样技术进行了测定。
A 100GHz Schottky photodiode is fabricated on a semi-ins
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在半绝缘GaAs基底上用一种特殊的平面结构制造出了100GHz的肖特基光电二极管。并用电—光取样技术进行了测定。
A 100GHz Schottky photodiode is fabricated on a semi-insulating GaAs substrate using a special planar structure. And electricity - light sampling technology was measured.
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