【摘 要】
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在高密度比特位动态随机存储器(DRAM)芯片的发展中,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出,已成为
【机 构】
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清华大学计算机科学与技术系设计自动化教研组,北京,100084
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在高密度比特位动态随机存储器(DRAM)芯片的发展中,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出,已成为不可忽视的重要因素,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求.本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高,速度快,并可适应复杂堆叠(stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件,并通过实例计算,分析DRAM中互连线寄生电容对电路性能的影响.
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