【摘 要】
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本文研究了半导体BaTiO_3陶瓷的微观结构对PTCR效应的影响,并确立了PTCR效应大于7个数量级的陶瓷体的制备方法。用工业纯草酸氧钛钡作原料,Sb_2O_3作掺杂剂。为了详细地验证
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本文研究了半导体BaTiO_3陶瓷的微观结构对PTCR效应的影响,并确立了PTCR效应大于7个数量级的陶瓷体的制备方法。用工业纯草酸氧钛钡作原料,Sb_2O_3作掺杂剂。为了详细地验证微观结构对PTCR效应的影响,烧结了相对密度为60—92%、平均晶粒尺寸为2—5μm的陶瓷体。不用掺杂如Mn或Cr这样的元素来增大PTCR效应。
In this paper, the effect of the microstructure of BaTiO_3 ceramics on the PTCR effect was investigated. The preparation method of the ceramic body with the PTCR effect over 7 orders of magnitude was established. Using pure titanium oxalate industry as raw material, Sb_2O_3 as a dopant. In order to verify in detail the effect of the microstructure on the PTCR effect, a ceramic body having a relative density of 60-92% and an average grain size of 2-5 μm was sintered. Do not use doped elements such as Mn or Cr to increase the PTCR effect.
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