【摘 要】
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系统分析了小尺寸半导体器件中的载流子非本地输运模型 ,重点研究了非均匀能带结构和异质结效应对输运电流密度的影响 .同时 ,给出了归一化处理后的系统数学模型 ,并对器件的
【机 构】
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系统分析了小尺寸半导体器件中的载流子非本地输运模型 ,重点研究了非均匀能带结构和异质结效应对输运电流密度的影响 .同时 ,给出了归一化处理后的系统数学模型 ,并对器件的边界条件、参数模型、方程的离散及线性化处理等问题进行了讨论 .
The carrier non-local transport model in small-sized semiconductor devices is systematically analyzed, and the influence of the heterogeneous band structure and heterojunction on the transport current density is studied emphatically. At the same time, System mathematical model, and discusses the boundary conditions of the device, the parameter model, the discrete and linear equations of the equation and so on.
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