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研究了808 nm半导体激光器烧结过程中容易出现的“爬”铟现象,根据实验室的实验条件,采用了侧壁氧化结构来解决这个问题。制作了普通结构和侧壁氧化结构的激光器,烧结测试后发现：侧壁氧化结构的管芯烧结成品率可以达到95%以上,比普通结构的烧结成品率提高了20%。再将这两批管芯在500 mA下老化测试,发现：侧壁氧化的管芯寿命明显长于普通结构的管芯。