【摘 要】
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本文研制的薄膜铜电阻温度传感器具有如下性能:测温范围:-50～+150℃,最大非线性度
【机 构】
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中科院上海冶金所,中科院上海冶金所,中科院上海冶金所
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本文研制的薄膜铜电阻温度传感器具有如下性能:测温范围:-50～+150℃,最大非线性度<0.5％,电阻温度系数4150±20ppm℃~(-1),响应时间<0.5s。 制备薄膜铜电阻温度传感器的工艺流程如下:抛光硅片(p型或n型)清洗→热氧化→
The thin film copper resistance temperature sensor developed in this paper has the following properties: Temperature range: -50 ~ + 150 ℃, maximum nonlinearity <0.5%, temperature coefficient of resistance 4150 ± 20ppm ℃ -1, response time <0.5s. Preparation of thin film copper resistance temperature sensor process is as follows: polished silicon (p-type or n-type) cleaning → thermal oxidation →
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