【摘 要】
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基于南京电子器件研究所的100nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了6~18GHz宽带低噪声放大器。低噪声单片电路采用了三级结构,偏置电压为12V,电流约为70mA时,在6~18GHz
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基于南京电子器件研究所的100nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了6~18GHz宽带低噪声放大器。低噪声单片电路采用了三级结构,偏置电压为12V,电流约为70mA时,在6~18GHz频带内噪声系数小于1.7dB,增益大于25dB,驻波比小于2,1 dB增益压缩点输出功率带内最小值约为10dBm。前两级采用电流复用结构,降低了功耗;后级采用并联反馈结构,改善带内增益平坦度。芯片尺寸为2.0mm×1.35mm。
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