非晶AlBN介质薄膜的制备及相关特性研究

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【摘要】

：

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在GaN(002)上沉积非晶AlBN介质薄膜.利用X射线衍射技术(XRD)、透射电子显微镜(T EM)和X射线光电子能谱(XPS)等技术分别对介质薄膜的晶体结构、成分

【作者】

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刘峰峰李玉雄隋展鹏蔡勇张永红蒋春萍

【机构】

：

中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米真空互联实验站

【出处】

：

材料工程

【发表日期】

：

2020年6期

【关键词】

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AlBN 脉冲激光沉积非晶薄膜 AlBNpulsed laser depositionamorphous film

【基金项目】

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国家自然科学基金联合基金项目(U1830112),国家自然科学基金面上项目(61674163),江苏省重点项目(BE2018006-3)

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采用脉冲激光沉积(PLD)技术在GaN(002)上沉积非晶AlBN介质薄膜.利用X射线衍射技术(XRD)、透射电子显微镜(T EM)和X射线光电子能谱(XPS)等技术分别对介质薄膜的晶体结构、成分进行表征,并采用导电原子力显微镜(CAFM)以及I-V等测试手段对不同厚度薄膜的电学性质进行测试.结果表明:不同厚度的AlBN介质薄膜均为非晶,薄膜中B含量约为6.7%(原子分数).厚度为3 nm和18 nm的AlBN介质薄膜的表面粗糙度(Rq)分别为0.209 nm和0.116 nm,薄膜表面平整均匀,18 n

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