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介绍了应变SiGe层的特性，包括SiGe应变层临界厚度与Ge组分的关系，能带变窄，折射率增加以及应变SiGe层的亚稳态特性。然后从材料生长方面入手，提出了4种改善长波长锗硅光电探测器性能的方案，包括采用生长缓冲层来减小位错的方法、生长高组分表面起伏多量子阱的方法和生长Ge岛超晶格的方法，随之给出了相关的实验结果，并对这4种方案进行了分析。最后对上述内容进行小结，并对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。