【摘 要】
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以AlCrNbSiTiV为靶材,用反应式磁控溅镀系统分别在住友BNX20刀具和硅晶片上沉积高熵合金氮化物(AlCrNbSiTiV)N薄膜。采用田口方法的L9(34)正交表考察了沉积时间、基材偏压、
【机 构】
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东莞职业技术学院机电工程系,龙华科技大学机械工程系
【基金项目】
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2018广东大学生科技创新培育资金立项项目(pdjhb0901),广东省教育厅2017年度特色创新类项目(2017GGXJK094),2018东莞市社会科技发展项目(20185071561262)
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以AlCrNbSiTiV为靶材,用反应式磁控溅镀系统分别在住友BNX20刀具和硅晶片上沉积高熵合金氮化物(AlCrNbSiTiV)N薄膜。采用田口方法的L9(34)正交表考察了沉积时间、基材偏压、溅射功率和基材温度对沉积速率、薄膜硬度和刀具寿命的影响,通过方差分析(ANOVA)确定了影响各性能的主要因素。对信噪比(S/N)进行灰关联分析以实现多目标优化,得出最佳工艺参数为:沉积时间20min,基材偏压.100V,溅射功率250W,基材温度400°C。在该条件下,沉积速率为17.28nm/min,
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