【摘 要】
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以Cl2+SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在200mtorr压力下刻蚀Channel部a-Silicon.通过调整刻蚀时间.研究a-Silicon剩余厚度对TFT特性的影响.并通过在线电学特性测试设备EPM对TFT器
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以Cl2+SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在200mtorr压力下刻蚀Channel部a-Silicon.通过调整刻蚀时间.研究a-Silicon剩余厚度对TFT特性的影响.并通过在线电学特性测试设备EPM对TFT器件电学特性进行测量和评估.在这里说明测试用的Glass,Channel部的a-Silicon是由三层物质L:a-Silicon、H:a-Silicon、和n+a-Silicon按照21.74%、56.52%、21.74%的比例沉积而成.其中n+a-Silicon是Channel部必须去除的部分,其余两部分才是影响TFT特性的因素.而TFT Channel的真正形成也是在L:a-Silicon层.所以整个实验过程中需要考虑一点是H:a-Silicon在全部a-Silicon(包含L:a-Silicon、H:a-Silicon、和n+a-Silicon)中的比例,即所谓的H:a-Silicon%.因为既要保证下面的L:a-Silicon层不受影响,同时还要保证上面的n+a-Silicon曾被完全去除.所以实验中的时间选定必须从某个定点开始.实验结果说明当H:a-Silicon的剩余厚度为10.8%时TFT特性明显变差,那么可以保守的得出:在其它条件不变的情况下.H:a-Silicon的剩余厚度在a-Silicon总厚度的25%-45%范围之内时TFT器件的电学特性受到的影响很小:而H:a-Silicon剩余厚度少于a-Silicon总厚度的25%时TFT器件的电学特性变差.即工作电流变小、开启电压变大、漏电流和迁移率没有明显差异.
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