【摘 要】
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禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各
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禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各区域禁带宽度的新方法.由于发射区重掺杂,本文还考虑了载流子的简并情况.
The band gap is an important physical parameter of the silicon transistor.This paper presents the temperature characteristics of the reverse saturation current of the emitter junction of the transistor in the emitter region and the forward bias voltage of the collector junction. A New Method to Determine the Bandgap Bandwidth in Each Region of Silicon Transistors Due to the heavily doped emitter region, we also consider the degeneracy of carriers.
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