【摘 要】
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本文简述西德德律丰根通用电气公司红外探测器的近况,特别讨论了8～14微米光电二极管的发展,它们以铅锡硫族化合物(碲锡铅、硒锡铅、碲锡硒铅)作基础材料。p-n结分别用热扩散和
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本文简述西德德律丰根通用电气公司红外探测器的近况,特别讨论了8～14微米光电二极管的发展,它们以铅锡硫族化合物(碲锡铅、硒锡铅、碲锡硒铅)作基础材料。p-n结分别用热扩散和离子注入形成。这些探测器预计可和现有的器件比美。
This article summarizes the current situation of the infrared detector of the West Germany Derwent General Electric Company. In particular, the development of 8-14 micron photodiodes is discussed. They are based on lead-tin chalcogenides (tellurium-tin-lead, selenium-tin-lead, ) As the basic material. The p-n junctions are formed by thermal diffusion and ion implantation, respectively. These detectors are expected to be as good as existing devices.
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