【摘 要】
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本文给出反馈型介质腔稳GaAs FET振荡器较严格的分析模型。导出振荡条件下FET的S参数与反馈电路参数间的关系式、振荡频率以及频率温度稳定度等的关系式。依此研制成两种X波
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本文给出反馈型介质腔稳GaAs FET振荡器较严格的分析模型。导出振荡条件下FET的S参数与反馈电路参数间的关系式、振荡频率以及频率温度稳定度等的关系式。依此研制成两种X波段DRO,均获得良好的频率—温度特性。
In this paper, we give a more rigorous analytical model of a GaAs FET oscillator. The relationship between the S-parameters of the FET and the feedback circuit parameters, the oscillation frequency and the frequency temperature stability under the oscillation condition is derived. In this way, two types of X-band DROs were developed to obtain good frequency-temperature characteristics.
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