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碳化硅中惰性气体离子辐照引起缺陷的研究
碳化硅中惰性气体离子辐照引起缺陷的研究
来源 :原子核物理评论 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhaoyangfei1
【摘 要】
:
综述了有关碳化硅材料中惰性气体离子引起辐照缺陷研究的进展。包括借助多种方法对氦离子辐照的碳化硅中氦泡集团形成的剂量阈值的实验研究,基于过冷固体假设对氦泡阈值的理论
【作 者】
:
张崇宏
【机 构】
:
中国科学院近代物理研究所
【出 处】
:
原子核物理评论
【发表日期】
:
2006年2期
【关键词】
:
碳化硅
辐照损伤
缺陷
氦泡
silicon carbide irradiation damage defect helium bubble
【基金项目】
:
中国科学院西部之光基金资助项目,园家自然科学基金资助项目(10575124)
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综述了有关碳化硅材料中惰性气体离子引起辐照缺陷研究的进展。包括借助多种方法对氦离子辐照的碳化硅中氦泡集团形成的剂量阈值的实验研究,基于过冷固体假设对氦泡阈值的理论解释,不同剂量氦泡的两种形态及其机理的研究,以及重惰性气体离子(Ne,Xe)辐照下缺陷演化的特点。
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