【摘 要】
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采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si(SoI)基纳米线波导微环谐振(MRR)滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(F
【机 构】
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吉林体育学院现代教育技术中心,中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,
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采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si(SoI)基纳米线波导微环谐振(MRR)滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为16.8 nm,1.55μm波长附近的消光比(ER)为18.1 dB。通过对MRR滤波器进行热光调制,在21.4~60.0℃温度范围内实现了4.8 nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12 nm/℃。
The Si (SoI) based nanowire waveguide MRR filter fabricated by electron beam lithography and ICP etching has a cross section of 300 nm × 320 nm and a radius of 5 μm. The test results show that the free spectral width (FSR) of the device is 16.8 nm, and the extinction ratio (ER) near the 1.55 μm wavelength is 18.1 dB. Through the thermo-optic modulation of the MRR filter, the tunable filter characteristic in the wavelength range of 4.8 nm was achieved in the temperature range of 21.4 ~ 60.0 ℃, and the thermo-optical tuning efficiency reached 0.12 nm / ℃.
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