【摘 要】
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采用浅砷离子注入形成极薄的发射区(200~300(?)),然后在发射区的上方淀积一层掺磷的非晶硅,本结构可以有效地提高晶体管共发射极增益的稳定性.晶体管的性能良好,其中h_(te)=50
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采用浅砷离子注入形成极薄的发射区(200~300(?)),然后在发射区的上方淀积一层掺磷的非晶硅,本结构可以有效地提高晶体管共发射极增益的稳定性.晶体管的性能良好,其中h_(te)=50~60,交流参数为f_T=1.2GHz,噪声系数N_F=1.5dB(f=600MHz,V_E=6V,I_C=2mA).
A shallow arsenic ion implantation is used to form a very thin emitter (200 ~ 300 (?)), And then a layer of phosphorus-doped amorphous silicon is deposited on the emitter region. This structure can effectively improve the stability of the common emitter gain of the transistor The transistor has good performance, h_ (te) = 50 ~ 60, the AC parameter f_T = 1.2GHz, the noise figure N_F = 1.5dB (f = 600MHz, V_E = 6V, I_C = 2mA).
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