【摘 要】
：
针对公共安全领域对甲基膦酸二甲酯(DMMP)等神经性毒剂模拟剂的高灵敏度检测的需求,该文提出了一种基于纳米修饰导电高分子电化学阻抗型气体传感方法,通过开展改性修饰导电高分子聚合物材料和平面叉指微电极研究,制备了电化学阻抗型气体传感器,并设计了传感器阵列化结构和报警器总体架构;研制出电化学阻抗型气体报警器,并开展了性能测试.实验结果表明,该电化学阻抗型气体报警器可对质量浓度低至1μg/L的DMMP进行有效检测,响应时间低至52 s.
【机 构】
：
中电科技集团重庆声光电有限公司,重庆 401332;中国电子科技集团公司第二十六研究所,重庆 400060;中电科技集团重庆声光电有限公司,重庆 401332
论文部分内容阅读
针对公共安全领域对甲基膦酸二甲酯(DMMP)等神经性毒剂模拟剂的高灵敏度检测的需求,该文提出了一种基于纳米修饰导电高分子电化学阻抗型气体传感方法,通过开展改性修饰导电高分子聚合物材料和平面叉指微电极研究,制备了电化学阻抗型气体传感器,并设计了传感器阵列化结构和报警器总体架构;研制出电化学阻抗型气体报警器,并开展了性能测试.实验结果表明,该电化学阻抗型气体报警器可对质量浓度低至1μg/L的DMMP进行有效检测,响应时间低至52 s.
其他文献
该文设计并制作了一种基于熔融拉锥技术的温度和折射率传感器.该结构是将一段单模光纤(S MF)两端级联无芯光纤(NCF),并通过火焰熔融拉锥技术把中间的单模光纤进行拉锥处理,从而构成了马赫-曾德尔光纤干涉仪(MZI),两个无芯光纤分别充当分束器和耦合器.实验研究了该传感器对于温度和折射率的光谱响应特性,研究表明,当温度升高时,透射光谱出现红移现象,其响应灵敏度为43.96 pm/℃,线性度为0.9905.当传感结构置于折射率1.3416～1.38232的蔗糖溶液中时,透射光谱强度随着折射率的增加而变大,其响
该文介绍了一种双声通道纵向耦合结构的高频高阻带抑制极窄带声表面波滤波器.利用有限元仿真研究了AT石英材料上高声速的声表面横波与浅体声波的激励情况,并进行了浅体声波抑制研究.通过调节叉指换能器金属化比,大幅降低了浅体声波对滤波器阻带抑制的影响,并制作出中心频率为1220 MHz,插入损耗为5 dB、1 dB带宽700 kHz、阻带抑制50 dB的低损耗高阻带抑制极窄带声表面波滤波器.
SC切石英晶体谐振器是恒温晶振的核心器件,但生产中发现高频SC切石英晶体谐振器的等效电感存在与理论值偏差、一致性差的问题.该文提出了石英晶体谐振器等效电感的计算模型,并系统仿真了生产中可能影响等效电感一致性的因素.仿真结果表明,电极厚度、微调量和微调斑偏移对等效电感的一致性影响不大,而晶片的平行度是影响等效电感一致性的关键,该结论有助于提高SC切石英晶体谐振器的指标和一致性.
提出了一种双频任意功分比输出的环形电桥设计.通过奇偶模分析法得到该任意功分比输出的双频环形电桥设计近似公式,利用高阻抗微带线代替双频分支微带线获得双频效能,并在环形电桥的分支线上设计倒相器,使该环形电桥结构紧凑.为进一步验证该设计方法的可行性,设计了工作频率在1/6 GHz的双频环形电桥,输出功分比为1:100,仿真和实验结果相符.
该文理论分析了影响光纤声光调制器消光比的主要因素.通过采用双器件级联和电路延时可调方案,得到了光脉冲上升时间和下降时间100 dB,脉冲利用率>97％的高效超高消光比光纤声光调制器(FAOM)模块.采用该模块在激光测风雷达系统中实现了4800 m的风速风向测量.结果表明,该文采用的设计方法在提高FAOM消光比的同时能够有效控制脉冲利用率,对于基于激光相干探测的测量系统性能提高有一定的促进作用.
该文研究了一种扇形结构的声表面波设计技术并分析了其工作原理及加权方式,为某电台接收机设计并制作了一款中心频率为374 MHz、-3 dB带宽大于17 MHz、插入损耗小于9.5 dB、通带波纹小于1 dB、带外抑制大于40 dB(10～352 MHz)的器件.将该器件封装在表贴SMD3838小型外壳中,其满足性能指标.结果表明,该器件首次突破了扇形结构中频声表面波滤波器在表贴SMD3838封装的研制,表明扇形结构声表面波滤波器产品实现小型化的可行性.
针对光纤光栅应变计无法同时准确测量结构表面多个方向应变的问题,该文设计了一种基于光纤布喇格光栅(FBG)的三向应变计.三向应变计采用圆环状基底结构,并在基底上封装了3根互成角度的FBG,适用于结构表面3个方向应变的同步测量.对封装后的应变计进行性能测试,并进行了同电阻应变片的对比实验.结果表明,应变计具有良好的线性,最大迟滞误差为6.1％,应变灵敏度在0°和90°方向分别提高约2.3倍和1.4倍.随着载荷的增加,应变计的测量误差逐渐减小,载荷大于1.5 kg后测量误差控制在±5％.
该文采用磁控溅射法在蓝宝石基片上制备出高择优取向的极薄氮化铝(AlN)压电薄膜.使用原子力显微镜(AFM)和X线衍射仪(XRD)分析了AlN压电薄膜的表面形貌和取向,并用膜厚测试仪和应力测试仪检测了AlN压电薄膜的膜厚和应力.试验结果表明,制备的AlN压电薄膜择优取向(002)良好,摇摆曲线半高宽达到3.21°,均方根粗糙度为1.56 nm,应力为-6.22 MPa.利用该文研究的AlN压电薄膜制作工艺研制的高频声体波延迟线工作频率达到24 GHz,插入损耗为50.7 dB,优于美国Teledyne公司的
该文采用固相法制备了BaSm0.2Ti(4+x)O(9.3+2x)(x=0～0.6为摩尔分数)陶瓷,研究了不同x值对陶瓷相组成、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明,在0≤x≤0.6时,随着x的增大,介电常数εr变化较小,品质因数与频率之积(Q×f)和频率温度系数τf均随x的增大而减小.当x=0.5时,可获得介电性能优异的BaSm0.2 Ti(4+x)O(9.3+2x)陶瓷:εr=46.9,Q×f≈18237 GHz,τf≈2.2×10-6/℃.
该文采用传统固态反应法制备了Ca1-x(Li0.5Ce0.4Pr0.1)xBi2Ta2O9(x为摩尔分数)陶瓷,研究了(Li0.5 Ce0.4 Pr0.1)2+复合离子不同掺杂浓度对陶瓷结构和电学性质的影响.结果表明,在选定浓度范围内,(Li0.5 Ce0.4 Pr0.1)2+复合离子改善了CaBi2Ta2O9基陶瓷的压电活性与高温下的直流电阻等特性.当x=0.08时,陶瓷具有最佳综合性能,即压电常数d33=10.3 pC/N,居里温度TC=928℃,直流电阻率ρ=1.12×106Ω·cm(650℃),介