【摘 要】
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由离子注入掺杂半绝缘GaAs 所得到的材料可视为生长在半绝缘衬底上的高斯分布层.高斯掺杂分布用峰值浓度、投影射程和标准偏离三个参量来表征.在DJS-130计算机上用数值方法计
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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由离子注入掺杂半绝缘GaAs 所得到的材料可视为生长在半绝缘衬底上的高斯分布层.高斯掺杂分布用峰值浓度、投影射程和标准偏离三个参量来表征.在DJS-130计算机上用数值方法计算了各种不同参量下的耗尽层宽度、最大电场和击穿电压,计算结果用图表示.计算证实,高斯掺杂分布GaAs 肖特基结的雪崩击穿行为,类似于具有不同程度的i层的p-i-n结构.
The material obtained by ion implantation of doped semi-insulating GaAs can be regarded as a Gaussian distribution layer grown on a semi-insulating substrate.The Gaussian doping profile is characterized by three parameters: peak concentration, projection range and standard deviation.In the DJS-130 The width of the depletion layer, the maximum electric field and the breakdown voltage under various parameters were calculated numerically on the computer, and the calculation results are shown graphically.The calculated results show that the avalanche breakdown behavior of Gaussian doped GaAs Schottky junction is similar to that of Pin structures with different levels of i-layer.
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