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在半导体制造过程中，需要使用大量有毒性气体，如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒，对人身及环境有危害性，为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展，开展气体解毒研究意义重大。传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺，存在许多弊病，近年来，剧毒气体干法解毒技术发展迅猛。本文介绍了该技术的原理，希望国产解毒装置能适应IC发展需求。