面发光型半导体激光器

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日本电信电话(NEC)公司试制面发光型半导体激光器。该激光器在室温条件下,以190μA的最小阔值电流成功地进行脉冲振荡,阈值电流一下减少到过去的1/3以下。 这种低阈值的实现,除了靠对现有技术 Nippon Telegraph and Telephone (NEC) company prototype surface-emitting semiconductor laser. The laser successfully pulsed with a minimum threshold current of 190 μA at room temperature, reducing the threshold current to less than a third of the past. This low threshold is achieved, in addition to the prior art
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