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在不同硫分压r（r=Sn／[N2＋Sn]）下，采用Cu-In预制膜硫化法制备了CuInS2薄膜。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、紫外-可见光分光光度计对薄膜的表面形貌、结构、电学、光学性能进行了表征分析。结果表明：随着，增加，薄膜的结晶质量提高，当r=1／2时，晶粒大小如一，粒度保持在1um左右，沿[112]晶向择优生长，载流子浓度为5．6×10^16cm^-3，光学带隙在1．53eV左右。