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用传统的固相反应方法制备了高价V掺杂的Bi4Ti3O12陶瓷样品,用X射线衍射对其结构进行了分析,并测量了样品的铁电和介电性能.结果发现,随着V的掺入,由氧空位引起的样品介电损耗峰的峰高被极大压制.氧空位的减少,使得样品中的畴钉扎效应减弱,从而提高了样品的抗疲劳特性和剩余极化.同时V的掺入,降低了材料的居里温度.