【摘 要】
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本文讨论PbTiO_3铁电薄膜的溶胶-凝胶制备技术、机理及PbTiO_3薄膜的结构和电性能.研究结果表明,在MgO和SrTiO_3单晶基片上制备的PbTiO_3薄膜为钙钛矿型结构的高度取向薄膜;
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系
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本文讨论PbTiO_3铁电薄膜的溶胶-凝胶制备技术、机理及PbTiO_3薄膜的结构和电性能.研究结果表明,在MgO和SrTiO_3单晶基片上制备的PbTiO_3薄膜为钙钛矿型结构的高度取向薄膜;在Si单晶基片上制备的PbTiO_3薄膜为钙钛矿型结构的陶瓷薄膜.PbTiO_3薄膜具有良好的铁电性能和热释电性能,这些膜薄适合于制备铁电存储器和热释电红外探测器.
In this paper, the sol-gel preparation technology and mechanism of PbTiO_3 ferroelectric thin films and the structure and electrical properties of PbTiO_3 thin films are discussed.The results show that PbTiO_3 thin films prepared on MgO and SrTiO_3 single crystal substrates are highly oriented films with perovskite structure ; PbTiO_3 thin films prepared on Si single crystal substrate are perovskite-type ceramic thin films.PbTiO_3 thin films have good ferroelectric properties and pyroelectric properties, which are suitable for ferroelectric memory and pyroelectric infrared detection Device.
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