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综述了近年来国外ＳｉＣ单晶及外延层生长，分立器件和集成电路的研究进展情况。
SiC单晶生长技术及器件研究进展
【摘 要】
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综述了近年来国外ＳｉＣ单晶及外延层生长，分立器件和集成电路的研究进展情况。
【机 构】
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电子工业部第四十六研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1998年4期
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