CdS含量对(Zn,Cd)S:Cu,Cl发光材料光电子寿命的影响

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xxn1954
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采用复合基质材料ZnS和CdS,制备了一系列黄色(Zn,Cd)S:Cu,Cl粉末交流电致发光材料,利用微波吸收介电法分别测量了7种(Zn,Cd)S:Cu,Cl材料样品的光电子衰减过程。发现随着CdS含量的增加,自由光电子寿命和浅束缚电子的寿命都有减小的趋势。分析认为发光材料基质中加入CdS后,使导带底下降,改变了晶体的禁带宽度,使导带电子与价带空穴的复合几率增大,从而使光电子和浅束缚电子寿命缩短。但由于受到浅陷阱的束缚,浅束缚电子的寿命长于导带的自由电子寿命。
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