【摘 要】
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作为在半导体圆片中掺入杂质的离子注入,开始时是用于MOS晶体管的V_(th)控制等低浓度掺杂,是一种已获得广泛应用的技术。目前,由于离子注入机性能的提高和工艺的改进,离子注
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作为在半导体圆片中掺入杂质的离子注入,开始时是用于MOS晶体管的V_(th)控制等低浓度掺杂,是一种已获得广泛应用的技术。目前,由于离子注入机性能的提高和工艺的改进,离子注入也能用于MOS LSI的源极、漏极和双极型LSI的发射极等高浓度掺杂,几乎所有的掺杂工艺都可用离子注入技术代替。
As an ion implantation for doping an impurity in a semiconductor wafer, low-concentration doping, such as V th control of a MOS transistor, is initially used. This technique has been widely used. At present, due to the improvement of performance and improvement of the ion implanter, ion implantation can also be used for high-concentration doping such as the source and drain of a MOS LSI and the emitter of a bipolar LSI. Almost all doping processes are available Ion implantation technology instead.
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