【摘 要】
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富士通微电子(上海)有限公司宣布,东京工业大学(Tokyo-Tech)、富士通实验室·Fujitsu Laboratories Ltd.)和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储
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富士通微电子(上海)有限公司宣布,东京工业大学(Tokyo-Tech)、富士通实验室·Fujitsu Laboratories Ltd.)和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FeR-AM)的新型材料。这种铋、铁、氧元素的合成材料(BiFeO3或BF
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