【摘 要】
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为了预测体硅OMOS电路中闩锁效应发生的条件,本文开发了一个改进的集总参数模型,以计算闩锁的维持特性与静态触发特性;提出了一个新的扩展电阻公式以代替费时的二维数值计算
【机 构】
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复旦大学微电子学研究所,复旦大学微电子学研究所 1986届本科毕业生
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为了预测体硅OMOS电路中闩锁效应发生的条件,本文开发了一个改进的集总参数模型,以计算闩锁的维持特性与静态触发特性;提出了一个新的扩展电阻公式以代替费时的二维数值计算。模拟结果与实验数据吻合,对6微米工艺和等比例缩小的3微米工艺CMOS电路中的闩锁效应进行了计算和比较。
In order to predict the latch-up condition in the bulk silicon OMOS circuit, an improved lumped parameter model was developed to calculate the latched and static latch-up characteristics. A new extended resistance formula was proposed to replace the time-consuming two Dimension value calculation. The simulation results are in good agreement with the experimental data, and the latch-up effects in the 6-micron process and in the 3-micron-scale CMOS process are scaled and compared.
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