真空热处理制备β-FeSi2光电薄膜的研究

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磁控溅射法沉积的Fe/Si多层膜和Fe单层膜经真空热处理后制备了β-FeSi2薄膜。[Fe1nm/Si3.2nm]60多层膜在〈880℃温度下真空热处理2h后,样品均呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的样品则易形成β-FeSi2与ε-FeSi相的混合物,且取向杂乱。在920℃真空热处理后,两种样品都形成了α-FeSi2薄膜。原子力显微镜分析表明,样品表面粗糙度随热处理温度升高而变大,最大表面均方根粗糙度约为16nm。卢瑟福背散射分析发现,Fe/Si多层膜样品热处理过程中元素再分布很小。
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