【摘 要】
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反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路。本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果。
Reactive ion etching process is a
【机 构】
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陕西微电子学研究所,陕西微电子学研究所,陕西微电子学研究所,
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反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路。本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果。
Reactive ion etching process is a common microfabrication process, with open system to do all kinds of integrated circuits. In this paper, the reaction of R_4__ (3) __4 with CF_4 + O_2 as the reactive gas has been studied and good results have been obtained.
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