【摘 要】
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引言在双极晶体管不能达到的工作频率上具有良好性能的砷化镓肖脱基势垒栅微波场效应管(MFSFET)近十余年所取得的进步,可得出这样的结论:这种几乎是万能的有源器件可以用于
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引言在双极晶体管不能达到的工作频率上具有良好性能的砷化镓肖脱基势垒栅微波场效应管(MFSFET)近十余年所取得的进步,可得出这样的结论:这种几乎是万能的有源器件可以用于任何高频无线电系统〔1〕。当要求器件在3千兆赫以上的频率工作而且要求大量生产时,
INTRODUCTION The progress made in the past decade or more of the GaAs Schottky barrier microwave FET (MFSFET) with good performance at unobtainable operating frequencies of bipolar transistors leads to the conclusion that this almost Is a versatile active device can be used for any high-frequency radio system [1]. When devices are required to operate at frequencies above 3 GHz and require mass production,
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