【摘 要】
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采用包埋法在碳/碳复合材料表面沉积Si C涂层,再利用化学气相沉积(CVD)法在Si C涂层表面原位生长Si C纳米线,最后利用热喷涂技术在其表面喷涂Zr B2涂层。通过扫描电镜分析可
【机 构】
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西北有色金属研究院,中船重工第七一三研究所,
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采用包埋法在碳/碳复合材料表面沉积Si C涂层,再利用化学气相沉积(CVD)法在Si C涂层表面原位生长Si C纳米线,最后利用热喷涂技术在其表面喷涂Zr B2涂层。通过扫描电镜分析可知Zr B2涂层有效地填补了Si C涂层的缺陷使涂层更加致密,Si C纳米线的生长起到增韧Si C和Zr B2复合涂层的作用。利用XRD、SEM、EDS分析测试了Si C涂层及纳米线的形貌和物象结构,并采用微米压痕仪对得到的涂层体系进行了力学性能研究。结果表明,Si C纳米线涂层不仅致密,而且力学性能也优异。
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