【摘 要】
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桑迪亚试验室和得克萨斯A&M大学正在研究高温半导体材料GaP。研究的重点是把这种材料用于制备肖特基二极管,其工作温度高达500°C。因为GaP的禁带宽度比硅宽,在600°C的高温
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桑迪亚试验室和得克萨斯A&M大学正在研究高温半导体材料GaP。研究的重点是把这种材料用于制备肖特基二极管,其工作温度高达500°C。因为GaP的禁带宽度比硅宽,在600°C的高温下也可
Sandia Laboratories and Texas A & M University are studying GaP, a high-temperature semiconductor material. The focus of the study was on the use of this material for making Schottky diodes, which operate at temperatures up to 500 ° C. Because GaP has a wider band gap than silicon, it is also possible at high temperatures of 600 ° C
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