Cu（In,Ga）Se2薄膜的制备及其表征（英文）

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tiger10208

【摘要】

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CuIn1-xGaxSe2(CIGS)为直接带隙半导体,其带隙宽度随In/Ga比而变化,且对可见光具有很高的吸收系数,是最有希望用于制作新一代高效、低成本薄膜太阳能电池的材料.采用直流溅射

【作者】

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崔艳峰袁声召王善力胡古今褚君浩

【机构】

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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室; 上海太阳能电池研究与发展中心;

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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薄膜电池 CuIn1-xGaxSe2薄膜直流溅射硒化

【基金项目】

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Supported by National Basic Research Program of China(973 program,Grant No.2010CB933700);National Natural Science Foundation of China(Grant No.10774154);Knowledge Innovation Program of the Chinese A

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CuIn1-xGaxSe2(CIGS)为直接带隙半导体,其带隙宽度随In/Ga比而变化,且对可见光具有很高的吸收系数,是最有希望用于制作新一代高效、低成本薄膜太阳能电池的材料.采用直流溅射和后硒化工艺制备了系列CIGS薄膜,研究了溅射功率和衬底对CIGS薄膜的微结构和光学性质的影响.发现钼玻璃上溅射功率为50W,在550℃硒化40min的条件下获得的CIGS薄膜具有单一的黄铜矿结构、均匀致密的表面形貌和柱状晶粒.所制备的薄膜的禁带宽度位于1.21～1.24 eV的范围.

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