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基于电阻率为1.8Ω·cm的P型多晶硅片,实验研究了管式PECVD和平板式PECVD沉积的氮化硅膜对多晶硅太阳电池的影响.利用椭偏仪、积分球式反射仪、少子寿命测试仪以及电学参数测试仪,对沉积的氮化硅膜层的厚度、折射率、反射率、少子寿命以及太阳电池片的电学参数进行测试和表征.结果表明,管式PECVD钝化的硅片少子寿命相对提高2us,而转换效率相对增加了0.07%.